kSA BandiT實時襯底溫度測試儀是一種非接觸、實時測量半導體襯底表面溫度的測試系統(tǒng)，采用半導體材料吸收邊隨溫度的變化，實時測量晶片/襯底的溫度；并且kSA BandiT 已經(jīng)成功地安裝到眾多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導體沉積設(shè)備上，實現(xiàn)了晶片的溫度實時檢測。

薄膜生長速率測試儀，采用無損的激光技術(shù)實時原位檢測薄膜沉積速率、薄膜厚度以及光學常量（n&k），可廣泛的應(yīng)用于金屬有機化學氣象沉積MOCVD、分子束外延MBE、濺射系統(tǒng)Sputtering和蒸發(fā)系統(tǒng)等薄膜沉積過程的實時原位監(jiān)控。

反射高能電子衍射儀 RHEED可以由計算機來控制.電子槍控制部分包括一個界面模塊和一個軟件包，這保證了RHEED的使用靈活性，和可重復性.用戶自己設(shè)定的參數(shù)可以被保存并調(diào)入，通過電子束光闌可以控制電子束的開關(guān)，使用電子束搖擺特征可以調(diào)節(jié)電子束入射角度.

鋰離子電池電極應(yīng)力測量系統(tǒng)采用多光束光學傳感器系統(tǒng)（kSA MOS）原位實時應(yīng)力測量分析，可研究鋰離子電池反應(yīng)動力學過程中或在正常使用過程中內(nèi)部會產(chǎn)生應(yīng)力，對其電化學性能的影響；即就是在充放電過程中鋰離子電池外殼表面的應(yīng)力變化,得到了充放電循環(huán)中鋰離子電池電極表面的應(yīng)力大小與電荷狀態(tài)的關(guān)系；進而分析充放電過程中應(yīng)力變化的異同,即產(chǎn)生不可逆應(yīng)力,充放電曲線不重合。