原子層沉積系統，也稱為原子層外延，或原子層化學氣相沉積。
原子層沉積系統是在加熱的襯底上連續引入至少兩個蒸汽前驅體源，當表面飽和時，化學吸附自動終止。合適的工藝溫度會阻礙分子在表面的物理吸附。基本的原子層沉積周期包括四個步驟：脈沖a、清洗a、脈沖b和清洗b，重復沉積周期，直到獲得所需的膜厚，這是制造納米結構以形成納米器件的工具。
原子層沉積系統的優勢包括：
1.通過控制反應循環次數，可以控制薄膜厚度，從而達到原子層厚度精度的薄膜；
2.由于前驅體被化學吸附飽和，保證生成大面積均勻薄膜；
3.可制備優良的三維共形化學計量膜，可用作納米多孔材料的階梯覆蓋和涂層；
4.可以沉積多組分納米薄層和混合氧化物；
5.薄膜生長可以在低溫(室溫至400℃以下)下進行；
6.可廣泛應用于各種形狀的基材；
7.生長的金屬氧化物薄膜可用于介質、電致發光顯示絕緣體、電容器電介質和微機電系統器件，生長的金屬氮化物薄膜適用于擴散阻擋層。
原子層沉積系統主要特征：
1.樣品類型：粉末樣品、旗幟樣品；
2.原子層沉積系統可與高真空等系統互聯；
3.腔體發熱400℃，控溫精度1℃；
4.復雜的管道氣體回路，可有八種前驅體、兩種氧化還原氣體回路和三種載氣；
5.高溫鼓泡器的*設計可以提高低蒸氣壓固體源的反應效率和重復性；
6.原子層沉積系統自動控制系統，可通過自編程實現不同類型ALD樣品的生長；
7.模糊算法自整定的PID自動溫度控制；
8.全金屬密封，適用于腐蝕性反應；
9.實時測量和控制氣體流量和真空度；
10.在線原位分析氣體成分；
11.原子層沉積系統帶有臭氧發生器和反應殘渣熱分解裝置。
